為應(yīng)對(duì)未來(lái)市場(chǎng)需求，6月22日，存儲(chǔ)器廠商南亞科12英寸廠正式動(dòng)工。資料顯示，南亞科計(jì)劃投資新臺(tái)幣3000億元建設(shè)一座雙層無(wú)塵室12英寸新廠，新廠基地包含“主廠房”、“研發(fā)大樓”及“水資源再生中心”，同時(shí)，為應(yīng)對(duì)未來(lái)對(duì)先進(jìn)制程導(dǎo)入的需求，還將興建EUV極紫外光曝光微影設(shè)備獨(dú)立廠房。

據(jù)悉，新廠將采用南亞科自主研發(fā)的10納米級(jí)制程技術(shù)生產(chǎn)DRAM芯片，并將運(yùn)用“AI智慧制造”技術(shù)，全面提升制程效率。新廠規(guī)劃分三階段進(jìn)行擴(kuò)建，完成后月產(chǎn)能可達(dá)到4.5萬(wàn)片晶圓，預(yù)計(jì)2025年開始裝機(jī)投片量產(chǎn)。

眾所周知，DRAM是所有電子產(chǎn)品智能化時(shí)代的關(guān)鍵零組件之一，也是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)極為重要的一環(huán)，廣泛應(yīng)用在智能手機(jī)、個(gè)人電腦、服務(wù)器等各個(gè)領(lǐng)域。

近年來(lái)，受高通脹、俄烏沖突等因素影響，消費(fèi)性電子需求疲弱，使得下半年DRAM產(chǎn)業(yè)面臨挑戰(zhàn)，整體DRAM庫(kù)存上升。AI、大數(shù)據(jù)、5G等發(fā)展迅速，DRAM市場(chǎng)需求也持續(xù)上升，也推動(dòng)各大廠商擴(kuò)產(chǎn)步伐。

除了南亞科新廠動(dòng)工之外，美國(guó)存儲(chǔ)器大廠美光在日本廣島縣現(xiàn)有工廠附近新建的新工廠近期也傳來(lái)了新的進(jìn)展。

據(jù)日本東京電視臺(tái)本月初報(bào)道，美光投資8000億日元建設(shè)的新工廠計(jì)劃在今年下半年開始生產(chǎn)1β制程的DRAM產(chǎn)品。該工廠計(jì)劃于2024年正式開始投入運(yùn)營(yíng)，主要生產(chǎn)在數(shù)據(jù)中心廣泛使用的DRAM芯片，日本政府有望提供部分資金支持。

根據(jù)美光此前披露的技術(shù)路線圖，其計(jì)劃在2022年底前推出的1β DRAM產(chǎn)品，將可為圖形、HBM3和汽車等領(lǐng)域提供良好的性能，美光還將在1γ DRAM工藝中引入EUV技術(shù)。此外，美光計(jì)劃，在今后十年間在全球投資1500億美元