據(jù)手機(jī)晶片達(dá)人在微博上的爆料稱，臺(tái)積電內(nèi)部決定放棄N3工藝，因?yàn)榭蛻舳疾挥茫D(zhuǎn)2023下半年量產(chǎn)降本的N3E工藝。

不過(guò)在3nm之后，臺(tái)積將在明年推出升級(jí)版的N3E工藝，也就是3nm Enhanced增強(qiáng)版，進(jìn)一步提升性能、降低功耗、擴(kuò)大應(yīng)用范圍，對(duì)比N5同等性能和密度下功耗降低34％、同等功耗和密度下性能提升18％，或可以將晶體管密度提升60％。

事實(shí)上，對(duì)于N3工藝，大部分IC廠其實(shí)興趣都是不大的，畢竟N5、N4、N3這種工藝，一般只有手機(jī)芯片廠商才會(huì)感興趣，其它IC廠商則沒(méi)多大興趣，主要因?yàn)槠鋺?yīng)用成本太高。

雖然，就這個(gè)消息來(lái)看，N3工藝沒(méi)有取得多大反響，不過(guò)下一代的N3E卻傳出了好消息。8月24日，據(jù)知名科技網(wǎng)站Tom's handware消息，臺(tái)積電N3E工藝良率進(jìn)展超預(yù)期。其中256Mb SRAM的平均良率約為80%，移動(dòng)設(shè)備以及HPC芯片的良率也為80%左右。

臺(tái)積電N3E工藝為N3工藝的加強(qiáng)版，其性能和功耗表現(xiàn)更好，此前有消息稱蘋(píng)果M3芯片將采用臺(tái)積電N3E工藝。此前有消息稱，臺(tái)積電N3制程在完成技術(shù)研發(fā)及試產(chǎn)后，預(yù)計(jì)2022年第三季下旬投片量開(kāi)始大幅拉升，第四季月投片量將達(dá)上千片水準(zhǔn)，進(jìn)入量產(chǎn)階段。從以往慣例來(lái)看，預(yù)計(jì)臺(tái)積電會(huì)在今年先一步測(cè)試N3E工藝的性能和試產(chǎn)良率，可能會(huì)在2023年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。